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Casa Prodottichip del circuito integrato

Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x del circuito integrato 4 banche SDRAM mobile in 90FBGA

Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x del circuito integrato 4 banche SDRAM mobile in 90FBGA

    • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
    • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
  • Integrated Circuit Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA

    Dettagli:

    Luogo di origine: La COREA
    Marca: SAMSUNG
    Certificazione: LEAD FREE/ROHS COMPLIANT
    Numero di modello: K4M513233C-DN75

    Termini di pagamento e spedizione:

    Quantità di ordine minimo: 1
    Prezzo: Contact for Sample
    Imballaggi particolari: Contatto per il campione
    Tempi di consegna: Archivio
    Termini di pagamento: T/T in anticipo, Paypal, Western Union
    Capacità di alimentazione: 9600
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    Descrizione di prodotto dettagliata
    Pacchetto: 90FBGA marca: SAMSUNG
    alimentazione elettrica.: • 3.0V & 3.3V Operazione commerciale di temperatura: (- 25°C ~ 70°C).

    Dettaglio rapido:

    4M x 32Bit x 4 banche SDRAM mobile in 90FBGA

    Descrizione:

    Il K4M513233C è memoria RAM dinamica sincrona del tasso di 536.870.912 dati dei bit alta organizzata come 4 x 4.196.304 parole da 32 bit, fabbricati con tecnologia CMOS di rendimento elevato di SAMSUNG. La progettazione sincrona permette il controllo preciso del ciclo con l'uso dell'orologio di sistema e le transazioni dell'ingresso/uscita sono possibili su ogni ciclo di clock. La gamma di frequenze operative, le lunghezze programmabili di scoppio e le latenze programmabili permettono che lo stesso dispositivo sia utile per varie alte applicazioni di sistema di rendimento elevato di memoria e di larghezza di banda

     

    Applicazioni:

    •  alimentazione elettrica 3.0V & 3.3V.

    •  LVCMOS compatibile con l'indirizzo multiplexato.

    •  Un'operazione di quattro banche.

    •  SIG.RA ciclo con i programmi di chiave di indirizzo.

         -. Latenza di CAS (1, 2 & 3).

         -. Lunghezza di scoppio (1, 2, 4, 8 & piena pagina).

         -. Tipo di scoppio (sequenziale & Interleave).

    •  Ciclo di EMRS con i programmi di chiave di indirizzo.

    •  Tutti gli input sono provati al bordo andante positivo del sistema

        orologio.

    •  Lo scoppio ha letto il unico pezzo scrive l'operazione.

    •  Supporto di funzione speciale.

         -. PASR (l'auto parziale di matrice rinfresca).

         -. TCSR interno (l'auto a temperatura compensata rinfresca)   

    •   DQM per mascherare.

    •  L'auto rinfresca.

    •  64ms rinfrescano il periodo (ciclo 8K).

    •  Operazione commerciale di temperatura (- 25°C ~ 70°C).

    •  Operazione estesa di temperatura (- 25°C ~ 85°C).

    •  90Balls FBGA

    Specifiche:

    numero del pezzo.

    K4M513233C-DN75

    Produttore

    SAMSUNG

    abilità del rifornimento

    1920

    datecode

    07+

    pacchetto

    BGA

    osservazione

    nuove ed azione originali

     

    NUMERO DEL PEZZO QTY MFG Pacchetto
    MC74HC595ADTR2G 10000 SU TSSIP
    MC74HC165ADTR2G 7800 SU TSSOP
    LM4871MM 4000 NS MSOP
    ADXL335BCPZ 22000 ANNUNCIO LFCSP-16
    PIC16F648A I/P 30000 MICROCHIP IMMERSIONE
    88SA8040B1-NNC1C000 20000 MARVELL QFN
    DF08M 45000 SETTEMBRE IMMERSIONE
    FR9618SPCTR 10000 Franco SOP-8

    Vantaggio competitivo:

     

     L'elettronica mega di fonte immagazzina le componenti pronte a spedire. I circuiti integrati ed i semiconduttori difficili da trovare, obsoleti ed altamente assegnati sono tutti possono essere trovati da noi.

    L'elettronica mega di fonte ha stabilito un sistema ben sviluppato di logistica e una rete globale di logistica, che possono garantire il nostro servizio molto rapido, conveniente ed efficiente.

     

     

    Dettagli di contatto
    Mega Source Elec.Limited

    Persona di contatto: Ms. Tara Chan

    Telefono: 86-755-83690382

    Fax: 86-755-61624128

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