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Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x del circuito integrato 4 banche SDRAM mobile in 90FBGA

Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x del circuito integrato 4 banche SDRAM mobile in 90FBGA

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  • Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x del circuito integrato 4 banche SDRAM mobile in 90FBGA
Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x del circuito integrato 4 banche SDRAM mobile in 90FBGA
Dettagli:
Luogo di origine: La COREA
Marca: SAMSUNG
Certificazione: LEAD FREE/ROHS COMPLIANT
Numero di modello: K4M513233C-DN75
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Contatto per il campione
Tempi di consegna: Archivio
Termini di pagamento: T/T in anticipo, Paypal, Western Union
Capacità di alimentazione: 9600
Contatto
Descrizione di prodotto dettagliata
Pacchetto: 90FBGA marca: SAMSUNG
alimentazione elettrica.: • 3.0V & 3.3V Operazione commerciale di temperatura: (- 25°C ~ 70°C).
Evidenziare:

circuiti integrati di CI

,

chip del circuito integrato

Dettaglio rapido:

4M x 32Bit x 4 banche SDRAM mobile in 90FBGA

Descrizione:

Il K4M513233C è memoria RAM dinamica sincrona del tasso di 536.870.912 dati dei bit alta organizzata come 4 x 4.196.304 parole da 32 bit, fabbricati con tecnologia CMOS di rendimento elevato di SAMSUNG. La progettazione sincrona permette il controllo preciso del ciclo con l'uso dell'orologio di sistema e le transazioni dell'ingresso/uscita sono possibili su ogni ciclo di clock. La gamma di frequenze operative, le lunghezze programmabili di scoppio e le latenze programmabili permettono che lo stesso dispositivo sia utile per varie alte applicazioni di sistema di rendimento elevato di memoria e di larghezza di banda

 

Applicazioni:

•  alimentazione elettrica 3.0V & 3.3V.

•  LVCMOS compatibile con l'indirizzo multiplexato.

•  Un'operazione di quattro banche.

•  SIG.RA ciclo con i programmi di chiave di indirizzo.

     -. Latenza di CAS (1, 2 & 3).

     -. Lunghezza di scoppio (1, 2, 4, 8 & piena pagina).

     -. Tipo di scoppio (sequenziale & Interleave).

•  Ciclo di EMRS con i programmi di chiave di indirizzo.

•  Tutti gli input sono provati al bordo andante positivo del sistema

    orologio.

•  Lo scoppio ha letto il unico pezzo scrive l'operazione.

•  Supporto di funzione speciale.

     -. PASR (l'auto parziale di matrice rinfresca).

     -. TCSR interno (l'auto a temperatura compensata rinfresca)   

•   DQM per mascherare.

•  L'auto rinfresca.

•  64ms rinfrescano il periodo (ciclo 8K).

•  Operazione commerciale di temperatura (- 25°C ~ 70°C).

•  Operazione estesa di temperatura (- 25°C ~ 85°C).

•  90Balls FBGA

Specifiche:

numero del pezzo.

K4M513233C-DN75

Produttore

SAMSUNG

abilità del rifornimento

1920

datecode

07+

pacchetto

BGA

osservazione

nuove ed azione originali

 

NUMERO DEL PEZZO QTY MFG Pacchetto
MC74HC595ADTR2G 10000 SU TSSIP
MC74HC165ADTR2G 7800 SU TSSOP
LM4871MM 4000 NS MSOP
ADXL335BCPZ 22000 ANNUNCIO LFCSP-16
PIC16F648A I/P 30000 MICROCHIP IMMERSIONE
88SA8040B1-NNC1C000 20000 MARVELL QFN
DF08M 45000 SETTEMBRE IMMERSIONE
FR9618SPCTR 10000 Franco SOP-8

Vantaggio competitivo:

 

 L'elettronica mega di fonte immagazzina le componenti pronte a spedire. I circuiti integrati ed i semiconduttori difficili da trovare, obsoleti ed altamente assegnati sono tutti possono essere trovati da noi.

L'elettronica mega di fonte ha stabilito un sistema ben sviluppato di logistica e una rete globale di logistica, che possono garantire il nostro servizio molto rapido, conveniente ed efficiente.

 

 

Dettagli di contatto
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Persona di contatto: savvy

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