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IS41LV16100B-60KL- 1M x 16 MEMORIA RAM DINAMICA (16-MBIT) CON IL MODO di PAGINA di EDO

    • IS41LV16100B-60KL- 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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  • IS41LV16100B-60KL- 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

    Dettagli:

    Luogo di origine: FILIPPINO
    Marca: Integrated Silicon Solution, Inc
    Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
    Numero di modello: IS41LV16100B-60KL

    Termini di pagamento e spedizione:

    Quantità di ordine minimo: 50
    Prezzo: Contact for Sample
    Imballaggi particolari: Contatto per il campione
    Tempi di consegna: entro 3 giorni
    Termini di pagamento: T/T in anticipo, Paypal, Western Union
    Capacità di alimentazione: 5000
    Contattaci
    Descrizione di prodotto dettagliata
    Packaging: Tube Capacità di memoria: 16M (1M x 16)
    L'auto rinfresca il modo:: spettrografia di massa di /16 di 1.024 cicli Gamma di temperature industriale:: -40oC a +85oC

     

    IS41LV16100B-60KL - Soluzione integrata del silicio, inc - (16-MBIT) MEMORIA RAM DINAMICA 1M x 16 CON IL MODO di PAGINA di EDO

     

     

    Dettaglio rapido:

     

    (16-MBIT) MEMORIA RAM DINAMICA 1M x 16 CON IL MODO di PAGINA di EDO

     

     

    Descrizione:

     

    Il ISSI IS41LV16100B è 1.048.576 memorie dinamiche a accesso casuale ad alto rendimento di CMOS di 16 bit di x. Questi dispositivi offrono un modo di pagina chiamato accesso accelerato di EDO del ciclo. Il modo di pagina di EDO permette 1.024 accessi casuali all'interno di singola fila con tempo di ciclo di accesso breve quanto 20 NS per parola di 16 bit.

    Queste caratteristiche fanno il IS41LV16100B adatto idealmente per gli alti grafici di larghezza di banda, l'elaborazione numerica dei segnali, i sistemi di computer a alto rendimento e le applicazioni periferiche.

    Il IS41LV16100B è imballato 42 in un pin un SOJ da 400 mil e 400 mil 50 - perno (di 44-) TSOP (tipo II).

     

     

    Applicazioni:

     

    • Input ed uscite compatibili di TTL; ingresso/uscita di tre stati

    • Rinfreschi l'intervallo:

    — L'auto rinfresca il modo: spettrografia di massa di /16 di 1.024 cicli

    — Solo RAS, CAS-prima-RAS di (CBR) e nascosto

    • Piedinatura di norma di JEDEC

    • Singola alimentazione elettrica: 3.3V ± 10%

    • Il byte operazione di lettura di byte e scrive via due CAS

    • Gamma di temperature industriale: -40oC a +85oC

    • Disponibile senza piombo

     

     

    Specifiche:

     

    Schede

    IS41LV16100B

    Imballaggio di serie

    16

    Categoria

    Circuiti integrati (ICs)

    Famiglia

    Memoria

    Serie

    -

    Imballaggio

    Metropolitana

    Formato - memoria

    RAM

    Tipo di memoria

    DRAM - EDO

    Capacità di memoria

    16M (1M x 16)

    Velocità

    60ns

    Interfaccia

    Parallelo

    Tensione - rifornimento

    3 V ~ 3,6 V

    Temperatura di funzionamento

    0°C ~ 70°C

    Pacchetto/caso

    42-SOJ

    Pacchetto del dispositivo del fornitore

    42-SOJ

     

     

    Vantaggio competitivo:

     

    Garanzia: 180 giorni!
    Trasporto libero: Ordine oltre la vittoria $1000 una tassa libera della spedizione
    (peso delle merci sotto 3Kg), durante il 20130901-20130930.


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    Dettagli di contatto
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