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Chip ad alta velocità di IC di memoria flash di RAM statico del pezzo di K6R4008C1D-KI10 Samsung 256Kx16

Chip ad alta velocità di IC di memoria flash di RAM statico del pezzo di K6R4008C1D-KI10 Samsung 256Kx16

    • K6R4008C1D-KI10 Samsung- 256Kx16 Bit High Speed Static RAM  Flash Memory IC Chip
    • K6R4008C1D-KI10 Samsung- 256Kx16 Bit High Speed Static RAM  Flash Memory IC Chip
  • K6R4008C1D-KI10 Samsung- 256Kx16 Bit High Speed Static RAM  Flash Memory IC Chip

    Dettagli:

    Luogo di origine: FILIPPINO
    Marca: Samsung semiconductor
    Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
    Numero di modello: K6R4008C1D-KI10

    Termini di pagamento e spedizione:

    Quantità di ordine minimo: 50
    Prezzo: Contact for Sample
    Imballaggi particolari: Contatto per il campione
    Tempi di consegna: entro 3 giorni
    Termini di pagamento: T/T in anticipo, Paypal, Western Union
    Capacità di alimentazione: 5000
    Contattaci
    Descrizione di prodotto dettagliata
    K6R4016C1D-10 di funzionamento:: 65mA (massimo) Controllo di byte di dati:: Libbra: I/O1~ I/O8, UB: I/O9~ I/O16
    Pacchetto: BGA Appoggio (TTL):: 20mA (massimo)

     

    K6R4008C1D-KI10 - Semiconduttore di Samsung - 256Kx16 pezzo RAM statico ad alta velocità (funzionamento 5.0V). Funzionato all'annuncio pubblicitario e

     

    Dettaglio rapido:

     

    256Kx16 pezzo RAM statico ad alta velocità (funzionamento 5.0V). Funzionato alla temperatura commerciale ed industriale

    Gamme.

     

     

    Descrizione:

     

    Il K6R4016C1D è una memoria ad accesso casuale statica ad alta velocità di 4.194.304 bit organizzata come 262.144 parole da 16 bit. Il K6R4016C1D usa 16 linee comuni di uscita e dell'input e fa permettere un'uscita al perno che funziona più velocemente del tempo di accesso di indirizzo al ciclo di lettura. Inoltre concede che si abbassa ed accesso superiore di byte tramite controllo di byte di dati (UB, libbra). Il dispositivo è fabbricato facendo uso di SAMSUNG¢s ha avanzato il processo di CMOS ed ha progettato per la tecnologia di circuito ad alta velocità. È particolarmente ben adattato per uso nelle applicazioni di sistema ad alta velocità ad alta densità.

    Il K6R4016C1D è imballato in un SOJ della plastica del perno 400mil 44 o in un TSOP (II) in avanti o 48 T BGA.

     

     

    Applicazioni:

     

    • Tempo di facile accesso 10ns (massimo)

    • Dissipazione di potere basso

     Appoggio (TTL): 20mA (massimo)

     (CMOS): 5mA (massimo)

     K6R4016C1D-10 di funzionamento: 65mA (massimo)

    • Scelga l'alimentazione elettrica di 5.0V±10%

    • Input ed uscite compatibili di TTL

    • Completamente funzionamento statico

     - Nessun orologio o Refresh ha richiesto

    • Tre uscite dello stato

    • Potere/piedinatura concentrare di messa a terra

    • Controllo di byte di dati: Libbra: I/O1~ I/O8, UB: I/O9~ I/O16

    • Piedinatura standard

     K6R4016C1D-J: 44-SOJ-400

     K6R4016C1D-K: 44-SOJ-400 (senza piombo)

     K6R4016C1D-T: 44-TSOP2-400BF

     K6R4016C1D-U: 44-TSOP2-400BF (senza piombo)

     K6R4016C1D-E: 48-TBGA con 0,75 passi della palla

     (7mm x 9mm)

    • Funzionando nella gamma di temperature commerciale ed industriale

     

     

    Specifiche:

     

    numero del pezzo.

    K6R4008C1D-KI10

    Produttore

    Semiconduttore di Samsung

    abilità del rifornimento

    10000

    datecode

    10+

    pacchetto

    BGA

    osservazione

    nuove ed azione originali

     

     

    Vantaggio competitivo:

     

    Garanzia: 180 giorni!
    Trasporto libero: Ordine oltre la vittoria $1000 una tassa libera della spedizione
    (peso delle merci sotto 3Kg), durante il 20130901-20130930.


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