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Casa ProdottiTransistor di NPN PNP

Transistor IXSN35N120U1 - TOSHIBA di NPN PNP - alta tensione IGBT con il diodo

Transistor IXSN35N120U1 - TOSHIBA di NPN PNP - alta tensione IGBT con il diodo

NPN PNP Transistors IXSN35N120U1 - TOSHIBA - High Voltage IGBT with Diode

Dettagli:

Luogo di origine: FILIPPINO
Marca: TOSHIBA
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: IXSN35N120U1

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 50
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Contatto per il campione
Tempi di consegna: entro 3 giorni
Termini di pagamento: T/T in anticipo, Paypal, Western Union
Capacità di alimentazione: 5000
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Descrizione di prodotto dettagliata

 

Dettaglio rapido:

 

Alta tensione IGBT con il diodo

 

 

Descrizione:

 

VCES = 1200 V

IC25 = 70 A

VCE (seduto) = 4 V

 

 

Applicazioni:

 

BLOCCO del pacchetto della norma internazionale del ● mini (ISOTOP) compatibile

isolamento del Alluminio-nitruro del ●

- dissipazione di alto potere

Tensione 3000 V~ di isolamento del ●

● VCE basso (seduto)

- per le perdite minime di conduzione dello su stato

Diodo veloce di RecoveryEpitaxial del ●

- breve trr ed IRM

Capacità bassa del collettore--caso del ● (< 50="" pF="">

- reducesd RFI

Induttanza bassa del pacchetto del ● (< 10="" nH="">

- facile guidare e proteggere

 

 

Specifiche:

 

numero del pezzo.

IXSN35N120U1

Produttore

TOSHIBA

abilità del rifornimento

10000

datecode

10+

pacchetto

MODULO

osservazione

nuove ed azione originali

 

 

Vantaggio competitivo:

 

Garanzia: 180 giorni!
Trasporto libero: Ordine oltre la vittoria $1000 una tassa libera della spedizione
(peso delle merci sotto 3Kg), durante il 20130901-20130930.


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•    La fonte mega è un custode e una società di riserva di commercio dei componenti elettronici. La nostra succursale include la Cina, Hong Kong, Sigapore, Canada. Offra l'affare, il servizio, il resourcing e le informazioni per il nostro membro globale.
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