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Casa Prodottitransistor di potenza RF

Transistor di potenza MRF21045LR3 - Motorola, inc di rf - transistor di effetto di campo di potere di rf

Transistor di potenza MRF21045LR3 - Motorola, inc di rf - transistor di effetto di campo di potere di rf

RF Power Transistors MRF21045LR3 - Motorola, Inc - RF Power Field Effect Transistors

Dettagli:

Luogo di origine: FILIPPINO
Marca: Motorola, Inc
Certificazione: Lead free / RoHS Compliant
Numero di modello: MRF21045LR3

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 50
Prezzo: Contact for Sample
Imballaggi particolari: Contatto per il campione
Tempi di consegna: entro 3 giorni
Termini di pagamento: T/T in anticipo, Paypal, Western Union
Capacità di alimentazione: 5000
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Descrizione di prodotto dettagliata

 

Dettaglio rapido:

 

Transistor di effetto di campo di potere di rf

 

 

Descrizione:

 

Progettato per le applicazioni della stazione base di W-CDMA con le frequenze dal 2110 al 2170 megahertz. Adatto a TDMA, a CDMA e ad applicazioni più multicarrier dell'amplificatore. Per essere utilizzato nella classe ab per il PCN - la radio di PCS/cellular e le applicazioni

 

 

Applicazioni:

 

• 2 prestazione tipica del trasportatore W-CDMA per VDD = 28 volt, IDQ = 500 mA,

f1 = 2135 megahertz, F2 = 2145 megahertz, larghezza di banda di Manica = 3,84 megahertz, canali adiacenti misurati oltre una larghezza di banda di 3,84 megahertz a f1 -5 megahertz e F2 +5 megahertz, prodotti di distorsione misurati sopra una larghezza di banda di 3,84 megahertz a f1 -10 megahertz e F2 +10 megahertz, picco/Avg. = dB 8,3 @ 0,01% probabilità su CCDF.

Ó potenza di uscita 10 watt di Avg.

Ó 23,5% di efficienza

DB del ó 15 di guadagno

IM3 dBc del ó -37,5

DBc del ó -41 di ACPR

• Q internamente abbinata e controllata, per facilità d'uso

• Alto guadagno, alta efficienza ed alte linearità

• Protezione integrata di ESD

• Progettato per planarità massima di fase di inserzione e di guadagno

• Capace di trattamento del 5:1 VSWR, @ 28 VCC, 2170 megahertz, 45 watt di CW potenza di uscita

• Stabilità termica eccellente

• Caratterizzato con i parametri equivalenti di impedenza del Gran-Segnale di serie

• Spessore basso sui cavi, termine nominale di doratura del ″ 40µ.

• In nastro ed in bobina. Suffisso R3 = 250 unità per 32 millimetri, bobina a 13 pollici.

 

 

Specifiche:

 

Schede

Serie MRF21045

Obsolescenza di PCN

Dispositivi 01/Jul/2010 di rf

Imballaggio di serie

250

Categoria

Prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia

FETs di rf

Serie

-

Imballaggio

Nastro & bobina (TR)

Tipo del transistor

LDMOS

Frequenza

2.16GHz

Guadagno

15dB

Tensione - prova

28V

Valutazione corrente

10µA

Figura di rumore

-

Corrente - prova

500mA

Uscita elettrica

10W

Tensione - stimata

65V

Pacchetto/caso

NI-400

Pacchetto del dispositivo del fornitore

NI-400-240

 

 

Vantaggio competitivo:

 

Garanzia: 180 giorni!
Trasporto libero: Ordine oltre la vittoria $1000 una tassa libera della spedizione
(peso delle merci sotto 3Kg), durante il 20130901-20130930.


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