Chip K4M513233C-DN75 4M x 32Bit x del circuito integrato 4 banche SDRAM mobile in 90FBGA

Dettaglio rapido:

4M x 32Bit x 4 banche SDRAM mobile in 90FBGA

Descrizione:

Il K4M513233C è memoria RAM dinamica sincrona del tasso di 536.870.912 dati dei bit alta organizzata come 4 x 4.196.304 parole da 32 bit, fabbricati con tecnologia CMOS di rendimento elevato di SAMSUNG. La progettazione sincrona permette il controllo preciso del ciclo con l'uso dell'orologio di sistema e le transazioni dell'ingresso/uscita sono possibili su ogni ciclo di clock. La gamma di frequenze operative, le lunghezze programmabili di scoppio e le latenze programmabili permettono che lo stesso dispositivo sia utile per varie alte applicazioni di sistema di rendimento elevato di memoria e di larghezza di banda

Applicazioni:

• alimentazione elettrica 3.0V & 3.3V.

• LVCMOS compatibile con l'indirizzo multiplexato.

• Un'operazione di quattro banche.

• SIG.RA ciclo con i programmi di chiave di indirizzo.

-. Latenza di CAS (1, 2 & 3).

-. Lunghezza di scoppio (1, 2, 4, 8 & piena pagina).

-. Tipo di scoppio (sequenziale & Interleave).

• Ciclo di EMRS con i programmi di chiave di indirizzo.

• Tutti gli input sono provati al bordo andante positivo del sistema

orologio.

• Lo scoppio ha letto il unico pezzo scrive l'operazione.

• Supporto di funzione speciale.

-. PASR (l'auto parziale di matrice rinfresca).

-. TCSR interno (l'auto a temperatura compensata rinfresca)

• DQM per mascherare.

• L'auto rinfresca.

• 64ms rinfrescano il periodo (ciclo 8K).

• Operazione commerciale di temperatura (- 25°C ~ 70°C).

• Operazione estesa di temperatura (- 25°C ~ 85°C).

• 90Balls FBGA

Specifiche:

Vantaggio competitivo:

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